Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
Артикул:
11010301
Размеры:
3
x
0,1
x
6,7
Вес:
0,01
кг.
Есть в наличии
Количество:
Доступно
- Описание
- Характеристики
- Видео
- Отзывы {{product.reviewsCount > 0 ? '(' + product.reviewsCount +')' : ''}}
Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
-
ПроизводительSamsung
-
МодельM425R1GB4BB0-CWM
-
Количество модулей в комплекте (шт)1
-
Тип оборудованияОперативная память
-
Общий объем памяти (ГБ)8
-
Цвет
-
НизкопрофильнаяНет
-
Тип модуляSO-DIMM
-
Основные характеристики
-
Частота (MHz)DDR5 - 5600
-
Пропускная способность (МБ/с)44800
-
Поддержка RegНет
-
Поддержка ECCНет
-
Количество контактов262
-
РадиаторНет
-
Напряжение (В)1.1
-
Тайминги
-
Высота (мм)
-
Тайминги
-
Чип
-
Дополнительная информация
-
Объем одного модуля (ГБ)8
-
Количество чипов на модуле
-
Линейка
-
CAS Latency (CL)
-
RAS to CAS Delay (tRCD)
-
Row Precharge Delay (tRP)
-
Нормальная операционная температура (Tcase)
-
Activate to Precharge Delay (tRAS)
-
Расширенная операционная температура (Tcase)
-
Поддержка водяного охлаждения
-
Компоновка чипов на модуле
-
Охлаждение
-
Потребление энергии
-
Дополнительные характеристики
-
ПодсветкаНет
-
Габариты (мм)
-
Вес (грамм)
-
ширина(см)0.1000
-
manufacturerCountryФилиппины
-
длина(см)6.7000
-
высота(см)3.0000
-
gtdNumber10005030/301123/5031268/002
-
масса(кг)0.0100
-
гарантия3 года